真空鍍膜技術(shù)的通用術(shù)語(yǔ)（下）
20.激光束蒸騰laserbeamevaporation：經(jīng)過(guò)激光束加熱蒸騰資料的蒸騰。
21.直接加熱的蒸騰indirectheatingevaporation：在加熱設(shè)備(例如小舟形蒸騰器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等)中使蒸騰資料取得蒸騰所有必要的熱量并經(jīng)過(guò)熱傳導(dǎo)或熱輻射辦法傳遞給蒸騰資料的蒸騰。
22.閃蒸flashevaportion：將極少量的蒸騰資料連續(xù)地做瞬時(shí)的蒸騰。
23.真空濺射vacuumsputtering：在真空中，惰性氣體離子從靶外表上炮擊出原子（分子）或原子團(tuán)的進(jìn)程。
24.反響性真空濺射reactivevacuumsputtering：經(jīng)過(guò)與氣體的反響取得抱負(fù)化學(xué)成分的膜層資料的真空濺射。
25.偏壓濺射biassputtering：在濺射進(jìn)程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。
26.直流二級(jí)濺射directcurrentdiodesputtering：經(jīng)過(guò)二個(gè)電極間的直流電壓，使氣體自我克制放電并把靶作為陰極的濺射。
27.非對(duì)稱性溝通濺射asymmtricalternatecurrentsputtering：經(jīng)過(guò)二個(gè)電極間的非對(duì)稱性溝通電壓，使氣體自我克制放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。
28.高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering：經(jīng)過(guò)二個(gè)電極間的高頻電壓取得高頻放電而使靶極取得負(fù)電位的濺射。
29.熱陰極直流濺射（三極型濺射）hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于熱陰極和陽(yáng)極取得非自我克制氣體放電，氣體放電所發(fā)生的離子，由在陽(yáng)極和陰極（靶）之間所施加的電壓加快而炮擊靶的濺射。
30.熱陰極高頻濺射（三極型濺射）hotcathodehighfrequencysputtering：借助于熱陰極和陽(yáng)極取得非自我克制氣體放電，氣體放電發(fā)生的離子，在靶外表負(fù)電位的效果下加快而炮擊靶的濺射。
31.離子束濺射ionbeamsputtering：使用特別的離子源取得的離子束使靶的濺射。
32.輝光放電清潔glowdischargecleaning：使用輝光放電原理，使基片以及膜層外表飽嘗氣體放電炮擊的清潔進(jìn)程。
33.物理氣相堆積；PVDphysicalvapordeposition：在真空狀態(tài)下，鍍膜資料經(jīng)蒸騰或?yàn)R射等物理辦法氣化，堆積到基片上的一種制取膜層的辦法。
34.化學(xué)氣相堆積；CVDchemicalvapordeposition：必定化學(xué)配比的反響氣體，在特定激活條件下（通常是必定高的溫度），經(jīng)過(guò)氣相化學(xué)反響生成新的膜層資料堆積到基片上制取膜層的一種辦法。
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